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参数目录39873
> NGB8207BNT4G IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3
型号:
NGB8207BNT4G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
NGB8207BNT4G PDF
标准包装
1
系列
-
IGBT 类型
-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
365V
Vge, Ic时的最大Vce(开)
1.8V @ 4.5V,10A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
20A
功率 - 最大
165W
输入类型
逻辑
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
标准包装
其它名称
NGB8207BNT4GOSDKR
查看NGB8207BNT4G代理商
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